產(chǎn)品分類

Product Category

光電探測(cè)器

單光子探測(cè)器/計(jì)數(shù)器光電倍增管其他光電探測(cè)器 Ge鍺光電探測(cè)器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測(cè)器 Si硅光電探測(cè)器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器 MCT碲鎘汞探測(cè)器

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詳細(xì)介紹

品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,建材,電子

PCI-4TE系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的四級(jí)熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器，采用光學(xué)浸沒以提高探測(cè)器的性能，使其具有好的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在λ_opt時(shí)性能好。截止波長(zhǎng)受GaAs透過率(~0.9 μm)的限制。設(shè)備應(yīng)該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，在低頻時(shí)探測(cè)器性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長(zhǎng)增大而增大。3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口，防止不必要的干擾效應(yīng)。

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 可探測(cè)中紅外光波段范圍1-16μm

● 帶有四級(jí)TE冷卻以提高探測(cè)器響應(yīng)度

● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡，實(shí)現(xiàn)光學(xué)浸沒

● 特殊抗反射涂層，防止不必要干擾

● 可配專用的前置放大器

封裝及尺寸

TO8型封裝外形尺寸圖

參量	數(shù)值
浸沒微型透鏡形狀	超半球形
光學(xué)區(qū)域面積Ao；mm×mm	0.5×0.5	1×1	2×2
R,mm	0.5	0.8	1.25
A,mm	7.3±0.4	6.4±0.4	5.0±0.4

備注：

?—接收角度；

R—超半球微型透鏡半徑

A—4TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離

4TE-TO8引腳定義

功能	PIN號(hào)
探測(cè)器	1,3
熱敏電阻	7,9
TE冷卻器供應(yīng)	2（+），8（-）
底板接地	11
未使用	4,5,6,10,12

4TE-TO66封裝尺寸圖

參量	數(shù)值
浸沒微型透鏡形狀	超半球形
光學(xué)區(qū)域面積Ao；mm×mm	0.5×0.5	1×1	2×2
R,mm	0.5	0.8	1.25
A,mm	8.35±0.4	7.45±0.4	6.1±0.4

備注：

?—接收角度；

R—超半球微型透鏡半徑

A—4TE-TO66型封裝頂部下表面與焦平面的距離

4TE-TO66引腳定義

功能	引腳編號(hào)
探測(cè)器	7,8
熱敏電阻	5,6
TE致冷供給	1（+），9（-）
未使用	2,3,4

產(chǎn)品應(yīng)用

● 熱成像

● FTIR光譜學(xué)

● 激光外差探測(cè)

● 中紅外氣體分析

技術(shù)參數(shù)

參數(shù)	探測(cè)器型號(hào)
參數(shù)	PCI-4TE-9	PCI-4TE-10.6	PCI-4TE-12	PCI-4TE-13	PCI-4TE-14
有源元件材料	外延MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)
峰值波長(zhǎng)（μm）	9.0	10.6	12.0	13.0	14.0
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λpeak,20kHz),cm·Hz1/2/W	≥1.25×1010	≥4.0×109	≥3.0×109	≥2.0×109	≥5.0×108
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λopt,20kHz),cm·Hz1/2/W	≥1.0×1010	≥3.0×109	≥2.0×109	≥1.0×109	≥3.0×108
電流響應(yīng)度-活性面積長(zhǎng)度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W	≥0.9	≥0.2	≥0.09	≥0.05	≥0.03
時(shí)間常數(shù)T，ns	≤80	≤30	≤7	≤6	≤5
1/f噪聲角頻率fc,Hz	≤10k	≤20k
偏置電壓-光學(xué)區(qū)域長(zhǎng)度比Vb/LO,V/mm	≤0.3	≤0.24			≤0.18
電阻R,Ω	≤500	≤400			≤300
工作溫度Tdet,K	～195
感光面尺寸Ao,mm×mm	0.5×0.5,1×1,2×2
封裝	TO8,TO66
接收角?	～36°
窗口	wZnSeAR