產(chǎn)品分類

Product Category

光電探測器

單光子探測器/計數(shù)器光電倍增管其他光電探測器 Ge鍺光電探測器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測器 Si硅光電探測器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測器 MCT碲鎘汞探測器

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詳細介紹

品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	進口
應用領域	化工,能源,建材,電子

PVI-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36是一種基于精密碲鎘汞異質(zhì)結構的雙極熱電制冷紅外光電探測器具有好的性能和穩(wěn)定性。對器件進行了優(yōu)化，使得器件在5um處達到大性能，探測器元件與超半球GaAs微透鏡進行單片集成，以提高器件的性能。反向偏置可以顯著提高響應速度和動態(tài)范圍。它還提高了高頻的性能，但在偏置設備中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會降低低頻的性能。3°楔形藍寶石（wAl2O3）窗防止不必要的干擾效應

產(chǎn)品特點

● 高性能

● 歸一化探測率與同類型的非制冷探測器相比，要好一個數(shù)量級

● 寬動態(tài)范圍

● 體積小巧

封裝及尺寸

參數(shù)	數(shù)值
浸沒微透鏡形狀	超半球
光敏面積，mm×mm	1×1
R,mm	0.8
A,mm	3.2±0.3

Φ:接受角度

A:從2TE-TO8報頭底部到焦平面的距離

R:超半球微透鏡半徑

功能	引腳定義
探測器	1，3
反向偏置	1（-），3（+）
熱敏電阻	7,9
TE制冷	2（+），8（-）
接地	11
無定義	4,5,6,12

使用和存儲注意事項:

標準歐姆計可能會過偏，損壞探測器。偏置10mV可用于電阻測量

熱阻~2K/W是散熱2TE冷卻器產(chǎn)生的熱量所必需的

在10%至80%濕度和-20°C至30°C環(huán)境溫度下運行

光學浸沒探測器的光束功率限制：

● 在表觀光學活性區(qū)域上，連續(xù)波或單脈沖超過1μs輻照度不得超過2.5W/cm2

● 小于1μs的脈沖的輻照度不得超過10kW/cm2

● 存放在陰涼的地方，濕度為10%至90%，環(huán)境溫度為-20°C至50℃。

產(chǎn)品應用

● 非接觸式溫度測量（鐵路運輸、工業(yè)和實驗室過程監(jiān)測）

● 火焰爆炸探測

● 威脅預警系統(tǒng)

● 氣體檢測、監(jiān)測和分析（CO、CO2、NOx）

● 體內(nèi)酒精檢測

● 呼吸分析

● 固體分析

● 輸氣管道泄露控制

● 燃燒過程控制

訂購信息

PVI-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36

PVI: 光伏探測器

2TE: 雙極制冷

5: 最佳波長5um

1×1: 光敏面面積1×1mm

TO8: 封裝類型

wAl2O3: 窗口材料

36: 接受角度36°

技術參數(shù)

參數(shù)	探測器類型
參數(shù)	PVI-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36
活性元素材料	外延碲鎘汞異質(zhì)結
起始波長λcut-on（10%），um	2.9±1.0
峰值波長λpeak，um	4.2±0.5
波長λopt,um	5.0
終止波長λcut-off（10%）,um	5.5±0.3
歸一化探測率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W	≥2.0×1011
歸一化探測率D*(λopt), cm·Hz1/2/W	≥9.0×1010
電流響應度Ri(λpeak), A/W	≥2.0
電流響應度Ri(λopt), A/W	≥1.3
時間常數(shù)τ, ns	≤80
電阻R,Ω	≥1000
活性元件溫度Tdet，K	~230
光敏面大小，mm×mm	1×1
封裝	TO8
接受角φ	~36°
窗口	wAl2O3