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當(dāng)前位置:首頁  >  產(chǎn)品展示  >  光電探測器  >  Si硅光電探測器  >  PN#MP-Si-8-TO88mm大光敏面硅(Si)硅光電探測器

8mm大光敏面硅(Si)硅光電探測器

簡要描述:8mm大光敏面硅(Si)硅光電探測器在反向偏置條件下工作。峰值波長在 940nm 左右,光譜探測范圍從 400nm~1100nm。

  • 產(chǎn)品型號:PN#MP-Si-8-TO8
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時間:2022-08-08
  • 訪  問  量:980

詳細介紹

品牌其他品牌產(chǎn)地類別進口
應(yīng)用領(lǐng)域化工,能源,建材,電子

器件為硅PIN 光電二極管,在反向偏置條件下工作。峰值波長在 940nm 左右,光譜探測范圍從 400nm~1100nm。

技術(shù)參數(shù)

特點:

平面正照結(jié)構(gòu)

快速響應(yīng)

低暗電流

高響應(yīng)度

高可靠性


應(yīng)用領(lǐng)域:

光纖通信、傳感、測距

可見光至近紅外領(lǐng)域的光探測

快速光脈沖檢測

各種工業(yè)控制系統(tǒng)。


產(chǎn)品參數(shù):

參數(shù)

測試

條件

   

單位

光敏面尺寸



Φ0.2

Φ0.5

Φ1

Φ2

Φ4

Φ5

Φ8

0.5X0.5

1X1

1.3X1.3

2X2

3X3

mm

光參數(shù)

光譜響應(yīng)

范圍

λ


400~1100


nm

響應(yīng)度

Re

VR=15V

λ=900nm

0.40

0.45

0.5

0.5

0.5

0.5

0.55

0.45

0.45

0.5

0.5

0.5

A/W

響應(yīng)時間

tr

VR=15V,

RL=50Ω

2

5

6

8

15

15

25

3.5

5

8

10

15

nS

電參數(shù)

暗電流

ID

VR=15V

1

2

3

5

12

40

60

3

3

4

6

10

nA

反向擊穿

電壓

VBR

IR=10μA

100

50

80

V

電容

Cj

f=1MHz

VR=15V

0.8

1.2

2.0

6

20

30

70

6.0

3

3

10

25

pF

工作電壓

VR


0~15

V

管座型號



同軸 II 型、5501、

TO46、插拔式、帶尾纖

T0-5

TO-8

同軸 II 型、5501、

TO46、插拔式、T05

T0-5


飽和光功率?0.3w/cm2

*器件的光敏面尺寸及技術(shù)指標可根據(jù)用戶的使用要求而定;具體參數(shù)及器件管殼使用引腳詳見產(chǎn)品附帶參數(shù)表.




封裝尺寸:

封裝圖片

尺寸信息

訂購代碼

搜狗截圖20210831113159.png

415.png



C-II

搜狗截圖20210831113329.png

搜狗截圖20210831113408.png


TO46

搜狗截圖20210831113439.png


搜狗截圖20210831113501.png




5501

搜狗截圖20210831113530.png

搜狗截圖20210831113548.png



TO5A

搜狗截圖20210831113610.png

搜狗截圖20210831113627.png



TO5B

搜狗截圖20210831113650.png

搜狗截圖20210831113714.png



TO8

搜狗截圖20210831113737.png

417.png



FC-SA

搜狗截圖20210831113838.png

418.png



ADP




注意事項

該器件在反向偏置電壓下工作,注意器件極性不能接反。

光纖彎曲度不能小于 45 度。

器件在貯運、使用中注意靜電防護措施。




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