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簡(jiǎn)要描述：2-12μm ,MCT中紅外四級(jí)TE冷卻光浸式光電探測(cè)器 PVI-4TE系列PVI-4TE系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的四級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器，具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性，同時(shí)采用光學(xué)浸入來(lái)改善器件的參數(shù)。探測(cè)器在λopt時(shí)具有他本身的最佳性能。起始波長(zhǎng)可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置電壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍以及高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會(huì)降低低頻下的性能。
產(chǎn)品型號(hào)：廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時(shí)間：2022-09-06訪 問(wèn) 量：725相關(guān)文章
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| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,建材,電子 |
2-12μm ,MCT中紅外四級(jí)TE冷卻光浸式光電探測(cè)器 PVI-4TE系列
PVI-4TE系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的四級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器，具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性，同時(shí)采用光學(xué)浸入來(lái)改善器件的參數(shù)。探測(cè)器在λopt時(shí)具有他本身的最佳性能。起始波長(zhǎng)可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置電壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍以及高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會(huì)降低低頻下的性能。3°楔狀藍(lán)寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干擾影響。
產(chǎn)品特點(diǎn)
● 含有四級(jí)TE制冷以提高探測(cè)器性能
● 可探測(cè)中紅外波長(zhǎng)范圍2-12μm
● 可配專用前置放大器
● 1mm×1mm大尺寸光敏面
● 帶有抗反射涂層窗口鏡
● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡實(shí)現(xiàn)光學(xué)浸沒(méi)，有效提升探測(cè)效率
產(chǎn)品應(yīng)用
● 醫(yī)學(xué)熱成像
● 紅外光譜分析
● 中紅外氣體吸收檢測(cè)
● 中紅外激光探測(cè)
參數(shù) | 探測(cè)器型號(hào) | ||||||
PVI-4TE-3 | PVI-4TE-3.4 | PVI-4TE-4 | PVI-4TE-5 | PVI-4TE-6 | PVI-4TE-8 | PVI-4TE-10.6 | |
有源元件材料 | 外延MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu) | ||||||
最佳波長(zhǎng)λopt，μm | 3 | 3.4 | 4 | 5 | 6 | 8 | 10.6 |
探測(cè)靈敏度D*(λpeak），cm·Hz?/w | ≥1×1012 | ≥8×1011 | ≥6×1011 | ≥3×1011 | ≥8×1010 | ≥5×109 | ≥4×109 |
探測(cè)靈敏度D*(λopt），cm·Hz?/W | ≥8×1011 | ≥7×1011 | ≥4×1011 | ≥1×1011 | ≥6×1010 | ≥4×109 | ≥2×109 |
電流響應(yīng)度Ri(λopt)，A/W | ≥0.5 | ≥0.8 | ≥1.0 | ≥1.3 | ≥1.5 | ≥0.5 | |
時(shí)間常數(shù)T，ns | ≤280 | ≤200 | ≤100 | ≤80 | ≤50 | ≤45 | ≤25 |
電阻-感光元件面積乘積R·AO,Ω·cm2 | ≥30000 | ≥2000 | ≥800 | ≥40 | ≥3 | ≥0.06 | ≥0.05 |
有源元件溫度Tdet,K | ~195 | ||||||
感光面面積AO，mm×mm | 0.5×0.5,1×1 | ||||||
封裝 | TO8,TO66 | ||||||
接收角Φ | ～36° | ||||||
窗口 | wAl2O3 | wZnSeAR | |||||
TO8型封裝外形尺寸圖
參量 | 數(shù)值 | |
浸沒(méi)微型透鏡形狀 | 超半球形 | |
光學(xué)區(qū)域面積AO；mm×mm | 0.5×0.5 | 1×1 |
R,mm | 0.5 | 0.8 |
A,mm | 7.3±0.4 | 6.4±0.4 |
備注：
?—接收角度；
R—超半球微型透鏡半徑
A—4TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離
2TE-TO8引腳定義
功能 | PIN號(hào) |
探測(cè)器 | 1,3 |
反向偏壓（可選） | 1（-）,3（+） |
熱敏電阻 | 7,9 |
TE冷卻器供應(yīng) | 2（+），8（-） |
底板接地 | 11 |
未使用 | 4，5，6，10，12 |
4TE-TO66封裝尺寸圖
參量 | 數(shù)值 | |
浸沒(méi)微型透鏡形狀 | 超半球形 | |
光學(xué)區(qū)域面積AO；mm×mm | 0.5×0.5 | 1×1 |
R,mm | 0.5 | 0.8 |
A,mm | 8.35±0.4 | 7.45±0.4 |
備注：
?—接收角度；
R—超半球微型透鏡半徑
A—4TE-TO66型封裝頂部下表面與焦平面的距離
TO66引腳定義
功能 | PIN號(hào) |
探測(cè)器 | 7，8 |
反向偏壓（可選） | 7（-）,8（+） |
熱敏電阻 | 5,6 |
TE冷卻器供應(yīng) | 1（+），9（-） |
未使用 | 2，3，4 |
探測(cè)器光譜響應(yīng)特性曲線
熱敏電阻特性曲線
四級(jí)TE冷卻參數(shù)表
參量 | 數(shù)值 |
Tdet , K | ~195 |
Vmax , V | 8.3 |
Imax , A | 0.4 |
Qmax , W | 0.28 |
抗反射涂層窗口光譜透過(guò)率曲線
2-12μm ,MCT中紅外四級(jí)TE冷卻光浸式光電探測(cè)器 PVI-4TE系列
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