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當(dāng)前位置:首頁(yè)  >  產(chǎn)品展示  >  光電探測(cè)器  >  MCT碲鎘汞探測(cè)器  >  2 - 13 um ,MCT中紅外四級(jí)TE冷卻光浸式多結(jié)光伏探測(cè)器 PVMI-4TE系列

2 - 13 um ,MCT中紅外四級(jí)TE冷卻光浸式多結(jié)光伏探測(cè)器 PVMI-4TE系列

簡(jiǎn)要描述:2 - 13 um ,MCT中紅外四級(jí)TE冷卻光浸式多結(jié)光伏探測(cè)器 PVMI-4TE系列
PVM-2TE系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的兩級(jí)TE冷卻紅外多結(jié)光電探測(cè)器,具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在λopt入射時(shí)性能佳。它們?cè)? ~ 12 μm光譜范圍內(nèi)工作的大型有源區(qū)域探測(cè)器中效率很高。3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口,防止不必要的干擾效應(yīng)。

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間:2022-09-07
  • 訪  問(wèn)  量:555

詳細(xì)介紹

品牌其他品牌產(chǎn)地類別進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域化工,能源,建材,電子

2 - 13 um ,MCT中紅外四級(jí)TE冷卻光浸式多結(jié)光伏探測(cè)器 PVMI-4TE系列

PVMI-4TE系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的四級(jí)TE冷卻紅外多結(jié)光探測(cè)器,采用光學(xué)浸沒(méi)的方式改善器件的參數(shù),以達(dá)到優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在λopt入射時(shí)性能佳。這是一款特別適用于在2 ~ 13 μm光譜范圍內(nèi)工作的大感光面探測(cè)器。3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口,防止不必要的干擾效應(yīng)。 

光譜響應(yīng)
2.0-13um
技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 可探測(cè)中紅外光波范圍 2-13μm

● 可配專用前置放大器

● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡實(shí)現(xiàn)光學(xué)浸沒(méi),有效提升探測(cè)效率

● 帶有防反射涂層窗口鏡,避免不必要的干擾

● 帶有四級(jí)TE冷卻,有效提高探測(cè)效率


產(chǎn)品應(yīng)用

● 醫(yī)學(xué)熱成像

● 紅外光譜分析

● 中紅外氣體吸收檢測(cè)

● 中紅外激光探測(cè)



參數(shù)

探測(cè)器型號(hào)

PVMI-4TE-8

PVMI-4TE-10.6

有源元件材料

外延MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)

最佳波長(zhǎng)λopt(μm)

8

10.6

相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D*   (λpeak),cm·Hz1/2/W

≥8×109

≥3×109

相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λopt),cm·Hz1/2/W

≥6×109

≥2.5×109

電流響應(yīng)度-光敏面長(zhǎng)度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W

≥0.2

≥0.18

時(shí)間常數(shù)T,ns

≤4

≤3

電阻R,Ω

500-2500

120-500

元件工作溫度Tdet,K

~195

感光面尺寸A,mm×mm

1×1

封裝

TO8,TO66

接收角Φ

~36°

窗口

wZnSeAR


TO8型封裝外形尺寸圖

7.png

參量

數(shù)值

浸沒(méi)微型透鏡形狀

超半球形

光學(xué)區(qū)域面積AO;mm×mm

1×1

R,mm

0.8

A,mm

6.4±0.4

備注:

?—接收角度;

R—超半球微型透鏡半徑

A—4TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離


4TE-TO8引腳定義

功能

PIN號(hào)

探測(cè)器

1,3

反向偏壓(可選)

1(-),3(+)

熱敏電阻

7,9

TE冷卻器供應(yīng)

2(+),8(-)

底板接地

11

未使用

4,5,6,10,12


4TE-TO66封裝尺寸圖

88.jpg

備注:

?—接收角度;

R—超半球微型透鏡半徑

A—4TE-TO66型封裝頂部下表面與焦平面的距離


參量

數(shù)值

浸沒(méi)微型透鏡形狀

超半球形

光學(xué)區(qū)域面積AO;mm×mm

1×1

R,mm

0.8

A,mm

7.45±0.4

4TE-TO66引腳定義

功能

PIN號(hào)

探測(cè)器

7,8

反向偏壓(可選)

7(-),8(+)

熱敏電阻

5,6

TE冷卻器供應(yīng)

1(+),9(-)

未使用

2,3,4


探測(cè)器光譜響應(yīng)特性曲線

PVIM-4TE.jpeg

熱敏電阻特性曲線

PV-2TE1.jpeg

四級(jí)TE冷卻參數(shù)表

參量

數(shù)值

Tdet , K

~195

Vmax , V

8.3

Imax , A

0.4

Qmax , W

0.28


抗反射涂層窗口光譜透過(guò)率曲線

5.png


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