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簡(jiǎn)要描述：銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測(cè)器 800-1700nm (140MHz)銦鎵砷(InGaAs)光電探測(cè)器是一種額定帶寬，固定增益的光電探測(cè)器，用于檢測(cè)光信號(hào)。光信號(hào)從光電sensor感應(yīng)面輸入，輸出通過(guò)BNC以電壓形式輸出。
產(chǎn)品型號(hào)：廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商更新時(shí)間：2022-09-09訪 問(wèn) 量：785產(chǎn)品分類(lèi)
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| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,建材,電子 |
銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測(cè)器 800-1700nm (2MHz)
產(chǎn)品特點(diǎn)：
低噪聲，小于±lmV
過(guò)沖小，過(guò)沖電壓小于2.5%
增益穩(wěn)定：增益誤差小于1%
暗偏置電壓輸出噪聲：小于ImV (rms)
應(yīng)用領(lǐng)域：
•顯示面板檢測(cè)
•LED照明頻閃分析
•玩具燈閃爍頻率及功率測(cè)量
•氣體分析
參數(shù)
PN# | PDA M 005B- Si | PDA M 36A5B6G- SI | PDA M 20A6B4G- InGaAs |
電器特性 | |||
輸入電壓 | ±9VDC, 60mA | ±9VDG 100mA | ±9VDC. 100mA |
探頭 | Silicon PIN | Silicon PIN | InGaAs PIN |
感光面 | 2.65mm * 2.65mm | 3.6mm * 3.6mm | Diameters@2 mm |
波長(zhǎng) | 400 nm - 1100 nm | 320 nm - 1100 nm | 800 nm - 1700 nm(Optional Extended(可選擴(kuò)展) 2600nm) |
峰值響應(yīng) | 0.62A/W @850nm | 0.6 A/W @960nm | 0.9 A/W@1550nm |
43.6mV/uW @850nm | 1 mV/nW @960nm | 9mV/uW@1550nm | |
飽和光功率 | 113pW@ 850nm (Hi-Z) | 6uW @960nm (Hi-Z) | 660 uW@1550nm (Hi-Z) |
芾寬 | DC •-5MHz | DC - 200kHz | DC - 5MHz |
NEP | 7.2 pW/4HZ1/2 | 2.2 pW/HZ1/2 | 64.5 pW/HZ1/2 |
輸出噪聲（RMS） | 700 uV | 1 mV ?typ | 1.3 mV .typ |
暗電流偏置（MAX） | ±5 mV | ±1 mV | ±5 mV |
上升沿/下降沿（10%—90%） | 65 ns | 1.7 us | 68ns |
輸出電壓 | |||
Hi-Z | 0- SV (Hi-Z) | 0-6V (Hi-Z) | 0-6V (Hi-Z) |
500 | 0 • 2.5V (50ohm) | 0 • 25V (50ohm) | 0 • 25V (50ohm) |
增益倍數(shù) | |||
Hi-Z | 67.5 kV/A | 1.68 MV/A | 10 kV/A |
50Q | 33.8 kV/A | 0.84 MV/A | 5kV/A |
增益精度（typ） | ±1% | ±1% | ±1% |
其他參數(shù) | |||
撥動(dòng)開(kāi)關(guān) | 撥動(dòng)開(kāi)關(guān) | 撥動(dòng)開(kāi)關(guān) | |
輸出接口 | BNC | BNC | BNC |
尺寸 | 53*50*50mm | 53*50*50mm | 53*50*50mm |
重量 | 150g | 150g | 150g |
操作溫度 | 10-50deg | 10-50deg | 10-50deg |
存儲(chǔ)溫度 | ?25°C - 70°C | -25°C - 70°C | -25°C - 70°C |
銦鎵砷光電探測(cè)器，帶放大，固定增益型號(hào)參考
| 型號(hào) | 波長(zhǎng) | 帶寬 | 上升時(shí)間 | 增益 | RMS噪聲 | NEP | 感應(yīng)面 | 工作溫度 | 電源 | |
| Hi-Z 負(fù)載 | 50Ω 負(fù)載 | |||||||||
| PDA10A8B4G-NIR | 800 - 1700 nm | DC - 140MHz | 2.5 nS | 1*104 V/A | 5*103 V/A | 760µV .typ | 4.8*10-12 W/√HZ | ф1 mm | 10-50℃ | 包含（±9V） |
| PDA05A7B4G-NIR | 800 - 1700 nm | DC - 25MHz | 14 nS | 1.2*104 V/A | 6*103 V/A | 1mV .typ | 1.9*10-11 W/√HZ | ф0.5 mm | 10-50℃ | 包含（±9V） |
| PDA10A7B4G-NIR | 800 - 1700 nm | DC - 12MHz | 29 nS | 1*104 V/A | 5*103 V/A | 800µV .typ | 2.6*10-11 W/√HZ | ф1 mm | 10-50℃ | 包含（±9V） |
| PDA20A6B4G-NIR | 800 - 1700 nm | DC - 5MHz | 70 nS | 1*104 V/A | 5*103 V/A | 1.3mV .typ | 6.5*10-11 W/√HZ | ф2 mm | 10-50℃ | 包含（±9V） |
| PDA30A6B4G-NIR | 800 - 1700 nm | DC - 2MHz | 175 nS | 1*104 V/A | 5*103 V/A | 800µV .typ | 6.3*10-11 W/√HZ | ф3 mm | 10-50℃ | 包含（±9V） |
外觀及安裝使用
測(cè)試案列：
測(cè)試光源：
PN：PL-DFB-9672.4-B-A81-PA
SN：DO3431e-q2-Bo2-A19
測(cè)試條件：25℃、激光器電流掃描15-23mA，探測(cè)器輸出如下圖。
此款探測(cè)器在972nm時(shí)，探測(cè)精度高，微弱光（幾十微瓦）也可以探測(cè)到。
尺寸圖
銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測(cè)器 800-1700nm (2MHz)
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