產(chǎn)品分類

Product Category

光電探測器

單光子探測器/計數(shù)器光電倍增管其他光電探測器 Ge鍺光電探測器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測器 Si硅光電探測器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測器 MCT碲鎘汞探測器

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詳細介紹

品牌	其他品牌	價格區(qū)間	面議
組成要素	半導體激光器產(chǎn)品及設備	產(chǎn)地類別	進口
應用領域	化工,建材,電子

總覽

Agiltron制造先進的硒化鉛（PbSe）探測器，用于室溫操作以及增強靈敏度的熱電冷卻操作。這些設備可以用于集成的光濾波器、預放大器或多路復用放大器。

硒化鉛PbSe光電二極管 2-5um,硒化鉛PbSe光電二極管 2-5um

通用參數(shù)

產(chǎn)品特點：

新型自動化學加工（ACP）以較低的成本產(chǎn)生更高的產(chǎn)量

在極條件下，可靠性高

保質期長

密封包裝

各種尺寸都可供選擇

PbSe探測器的典型室溫電特性。

光敏面大小（mm)

電阻(M?)

時間常數(shù)(µ sec)

D*BB

(500K, 1KHz, 1)

(cm•Hz?•W–1)

D*(cm•Hz?•W–1)

響應度

(PK, 1KHz)

(V/W)

1.0X1.0

0.2 - 5.0

3X108

2X109

7500

機械特性：

探測器通常在0.020英寸-0.030英寸厚度的石英襯底上制造?？梢耘c光學冷凝器元件、熱電（TE）冷卻器和處理電子設備集成，所有這些都裝在一個微型包裝中。

老化特性

所有的庫存探測器至少要經(jīng)歷四周的老化期。

PbSe探測器的光譜響應

PbSe的典型室溫響應在2 - 5μm的光譜區(qū)域工作，時間常數(shù)小于5 μsec。TE冷卻可在1到5微米區(qū)域增加D*。標準PbSe探測器的典型光譜響應如下圖所示

訂購型號信息：

環(huán)境探測器

PBAD-

探測器材料

類型

封裝

光敏面大小

窗口

AR 涂層

溫度傳感器

環(huán)境探測器

1=Lead Selenide (PbSe)

3=High Performance

Lead Selenide (HP-PbSe)

00=Flat Plate

01=Packaged

0=special

1=TO-18

5=TO-5

7=TO-37

8=TO-8

9=TO-39

0=Special

1=1x1mm

2=2x2mm

3=3x3mm

4=4x4mm

5=5x5mm

6=6x6mm

0=Special

1=Spectral Filter

2=Quartz

3=Sapphire

4=Germanium

5=Silicon

0=No

1=Yes

00=No Themistor

TH=Thermistor

TC=Thermistor Calibrated

制冷型探測器

PBCD-
	探測器材料	T.E.制冷類型	封裝	光敏面大小	窗口	AR 涂層	溫度傳感器
TE制冷型光電探測器	1=Lead	00=Special	0=special	0=Special	0=Special	0=No	00=No Themistor
	Selenide(PbSe)	01=1 stage	5=TO-5	1=1x1mm	1=Spectral Filter	1=Yes	TH=Thermistor
	3=High	02=2 stage	7=TO-37	2=2x2mm	2=Quartz		TC=Thermistor
	Performance	03=3 stage	8=TO-8	3=3x3mm	3=Sapphire		Calibrated
	Lead Selenide		9=TO-39	4=4x4mm	4=Germanium
	(HP-PbSe)			5=5x5mm	5=Silicon
				6=6x6mm